Infineon, SRAM 4Mbit, 256 K x 16 CY7C1041G-10ZSXI

Infineon静電気RAMは、内蔵ECCを備えた高性能CMOS高速静電気RAMデバイスです。この静電気RAMデバイスは、シングルチップイネーブルのオプションと複数のピン構成で提供されます。このデバイスには、読み取りサイクル中にエラー検出及び修正イベントを信号するERRピンが付属しています。データ書き込みは、チップイネーブル及び書き込みイネーブル入力をLOWに確定することで実行され、IO 0からIO 15までのピンでデータを提供し、A0からA17までのピンでアドレスを提供します。バイト高イネーブル及びバイト低イネーブル入力は、指定されたメモリ位置の上部及び下部のバイトに書き込み操作を制御します。

高速
低有効電流及びスタンバイ電流
1ビットエラー検出及び補正
TTL互換の入力及び出力
シングルビットエラー補正用の組み込みECC