ルネサス エレクトロニクス, SRAM, 64Mbit, 4 M x 16ビット, 70ns, 48-Pin
- RS品番:
- 767-5963
- メーカー型番:
- R1WV6416RBG-7SI#B0
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
取扱終了
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- RS品番:
- 767-5963
- メーカー型番:
- R1WV6416RBG-7SI#B0
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ルネサス エレクトロニクス | |
| メモリサイズ | 64Mbit | |
| 構成 | 4 M x 16ビット | |
| ワード数 | 4M | |
| 1ワード当たりのビット数 | 16bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 70ns | |
| ローパワー | あり | |
| タイミングタイプ | 非シンクロナス | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | FBGA | |
| ピン数 | 48 | |
| 寸法 | 8.5 x 11 x 0.8mm | |
| 高さ | 0.8mm | |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 動作供給電圧 Min | 2.7 V | |
| 幅 | 11mm | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| 長さ | 8.5mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ルネサス エレクトロニクス | ||
メモリサイズ 64Mbit | ||
構成 4 M x 16ビット | ||
ワード数 4M | ||
1ワード当たりのビット数 16bit | ||
最大ランダムアクセス時間 70ns | ||
ローパワー あり | ||
タイミングタイプ 非シンクロナス | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ FBGA | ||
ピン数 48 | ||
寸法 8.5 x 11 x 0.8mm | ||
高さ 0.8mm | ||
動作供給電圧 Max 3.6 V | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
動作供給電圧 Min 2.7 V | ||
幅 11mm | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
長さ 8.5mm | ||
- COO（原産国）:
- JP
ルネサスエレクトロニクス 低電力SRAM R1WVシリーズ
R1WVシリーズの低消費電力タティク RAM は、シンプルインターフェイス、バッテリ駆動、バッテリバックアップを行うためのメモリ用途に適しています。
2.7V～3.6V単一電源
低スタンバイ電流
外部クロックとリフレッシュ操作不要
入出力ともTTL直結可能
低スタンバイ電流
外部クロックとリフレッシュ操作不要
入出力ともTTL直結可能
SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ)