ルネサス, SRAM メモリ, 4Mbit, 256 K x 16ビット, 12ns, 44-Pin
- RS品番:
- 901-5786
- メーカー型番:
- R1RW0416DSB-2LR#D0
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
取扱終了
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- RS品番:
- 901-5786
- メーカー型番:
- R1RW0416DSB-2LR#D0
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Renesas Electronics | |
| メモリサイズ | 4Mbit | |
| 構成 | 256 K x 16ビット | |
| ワード数 | 256K | |
| 1ワード当たりのビット数 | 16bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 12ns | |
| アドレスバス幅 | 16bit | |
| クロック周波数 | 1MHz | |
| ローパワー | あり | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | TSOP | |
| ピン数 | 44 | |
| 寸法 | 18.51 x 10.26 x 1mm | |
| 動作供給電圧 Max | 5.5 V | |
| 高さ | 1mm | |
| 動作供給電圧 Min | 4.5 V | |
| 動作温度 Min | 0 °C | |
| 動作温度 Max | +70 °C | |
| 長さ | 18.51mm | |
| 幅 | 10.26mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Renesas Electronics | ||
メモリサイズ 4Mbit | ||
構成 256 K x 16ビット | ||
ワード数 256K | ||
1ワード当たりのビット数 16bit | ||
最大ランダムアクセス時間 12ns | ||
アドレスバス幅 16bit | ||
クロック周波数 1MHz | ||
ローパワー あり | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ TSOP | ||
ピン数 44 | ||
寸法 18.51 x 10.26 x 1mm | ||
動作供給電圧 Max 5.5 V | ||
高さ 1mm | ||
動作供給電圧 Min 4.5 V | ||
動作温度 Min 0 °C | ||
動作温度 Max +70 °C | ||
長さ 18.51mm | ||
幅 10.26mm | ||
低消費電力SRAM、R1RWシリーズ、ルネサスエレクトロニクス
R1RWシリーズは、システムのキャッシュやバッファメモリのような、高速かつ高密度のメモリと広いビット幅構成を必要とする用途に最も適したSRAMです。
シングル3.3 V電源
アクセスタイム: 10 ns / 12 ns
クロックやタイミングストロボは不要
アクセスタイムとサイクルタイムが同じ
入力 / 出力はすべてTTL対応
アクセスタイム: 10 ns / 12 ns
クロックやタイミングストロボは不要
アクセスタイムとサイクルタイムが同じ
入力 / 出力はすべてTTL対応
SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ)