- RS品番:
- 187-5413P
- メーカー型番:
- LNK3696G-TL
- メーカー/ブランド名:
- Power Integrations
在庫切れ
単価: 個(リールカット) 150個以上で出荷する場合、前後にリーダーとトレイラーが付き、リールに巻き直します。
¥185.80
(税抜)
¥204.38
(税込)
個 | 単価 |
---|---|
50 - 470 | ¥185.80 |
475 - 595 | ¥173.40 |
600 - 795 | ¥149.40 |
800 + | ¥144.40 |
- RS品番:
- 187-5413P
- メーカー型番:
- LNK3696G-TL
- メーカー/ブランド名:
- Power Integrations
データシート
その他
詳細情報
最もコンポーネント数の少ないスイッチャソリューション
選択可能なデバイス電流制限
完全統合型のオートリスタート機能で短絡や開ループから保護します
オプションの自己バイアス電源
周波数ジッタリングによりEMIを大幅に削減
基板とパッケージの両方において、DRAINピンとその他すべてのピンとの間の高電圧沿面距離要件に適合
ピン配置により基板の放熱を簡素化
出力過電圧保護(OVP)
入力過電圧ライン保護( OVL )
ヒステリシス過熱保護(OTP)
DRAINピンと他のすべてのピンとの間の沿面距離を長くしたことで、フィールドの信頼性が向上
優れた耐サージ性を実現する725 V MOSFET定格
産業デザイン又は追加の安全マージンに対応する 900 V MOSFET 定格シリーズです
コンポーネント(or 部品)の数を極力少なくしたことで、信頼性が向上
片面基板及びフル SMD 製造可能性
世界中のあらゆるエネルギー効率規制を容易にクリア
無負荷時消費電力<: 100 mW ( 265 V ac 入力のバイアス巻線なし)(< 10 mW (バイアス巻線使用時)
オン / オフ制御により、非常に軽い負荷に対して一定の効率を実現。 CEC 規制が必須になる用途に最適です
選択可能なデバイス電流制限
完全統合型のオートリスタート機能で短絡や開ループから保護します
オプションの自己バイアス電源
周波数ジッタリングによりEMIを大幅に削減
基板とパッケージの両方において、DRAINピンとその他すべてのピンとの間の高電圧沿面距離要件に適合
ピン配置により基板の放熱を簡素化
出力過電圧保護(OVP)
入力過電圧ライン保護( OVL )
ヒステリシス過熱保護(OTP)
DRAINピンと他のすべてのピンとの間の沿面距離を長くしたことで、フィールドの信頼性が向上
優れた耐サージ性を実現する725 V MOSFET定格
産業デザイン又は追加の安全マージンに対応する 900 V MOSFET 定格シリーズです
コンポーネント(or 部品)の数を極力少なくしたことで、信頼性が向上
片面基板及びフル SMD 製造可能性
世界中のあらゆるエネルギー効率規制を容易にクリア
無負荷時消費電力<: 100 mW ( 265 V ac 入力のバイアス巻線なし)(< 10 mW (バイアス巻線使用時)
オン / オフ制御により、非常に軽い負荷に対して一定の効率を実現。 CEC 規制が必須になる用途に最適です
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
入力電圧 Max | 265 V ac |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 8 |
寸法 | 9.83 x 6.6 x 3.68mm |
パッケージタイプ | SMD-C |
入力電圧範囲 | 85 → 265 V ac |
限界電流 | 451.5 (Reduced) mA, 575 (Standard) mA |
入力電圧 Min | 85 V ac |
動作温度 Max | +150 °C |
長さ | 9.83mm |
幅 | 6.6mm |
高さ | 3.68mm |
動作温度 Min | -40 °C |
動作温度範囲 | -40→ +150 ° C |
標準動作供給電圧 | 230 V ac |