Infineon RFトランジスタ, BFP842ESDH6327XTSA1, 4-Pin, 40 mA NPN, SOT-343, 表面実装, 3.25 V
- RS品番:
- 170-2366
- メーカー型番:
- BFP842ESDH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 170-2366
- メーカー型番:
- BFP842ESDH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | RFトランジスタ | |
| 最大DCコレクタ電流（Idc） | 40mA | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 3.25V | |
| パッケージ型式 | SOT-343 | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 4.1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大トランジション周波数フィート | 57GHz | |
| 最大許容損失Pd | 120mW | |
| トランジスタ極性 | NPN | |
| 最大エミッタベース電圧 VEBO | 4.1V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| ピン数 | 4 | |
| 規格 / 承認 | JEDEC47/20/22 | |
| 高さ | 1.3mm | |
| シリーズ | BFP842ESD | |
| 幅 | 1.25 mm | |
| 長さ | 2.1mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ RFトランジスタ | ||
最大DCコレクタ電流（Idc） 40mA | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 3.25V | ||
パッケージ型式 SOT-343 | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 4.1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大トランジション周波数フィート 57GHz | ||
最大許容損失Pd 120mW | ||
トランジスタ極性 NPN | ||
最大エミッタベース電圧 VEBO 4.1V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
ピン数 4 | ||
規格 / 承認 JEDEC47/20/22 | ||
高さ 1.3mm | ||
シリーズ BFP842ESD | ||
幅 1.25 mm | ||
長さ 2.1mm | ||
BFP842ESDは、2.3～3.5 GHz LNA用途専用の高性能HBT (ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)です。Infineonによる信頼性の高い量産用SiGe:Cウェハテクノロジーに基づいています。BFP842ESDは、入力パワー整合と2.3～3.5 GHzにおけるノイズ整合が本質的に優れています。損失の大きい外付け整合部品を入力リードに配することなくノイズ整合とパワー整合を両立しており、実装において外付け部品点数の削減、良好なノイズ値、高いトランスデューサゲインが実現されます。
Infineonによる信頼性の高い量産用SiGe:Cテクノロジーに基づいた
堅牢な超低ノイズアンプ
ハイエンドのRF性能と堅牢性という他にない組み合わせ
高直線性
高遷移周波数
トランスデューサゲイン
低電圧用途に最適
低電力消費によりモバイル用途に最適
Pbフリー及びハロゲンフリーで、視認できるリード付きの、使いやすい業界標準パッケージ