インフィニオン NPN RFトランジスタ, 高周波, 40 mA, SOT-343, 表面実装

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梱包形態
RS品番:
170-2366
メーカー型番:
BFP842ESDH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

トランジスタタイプ

NPN

最大DCコレクタ電流

40 mA

最大コレクタ- エミッタ間電圧

3.25 V

パッケージタイプ

SOT-343

実装タイプ

表面実装

最大パワー消費

120 mW

トランジスタ構成

シングル

最大コレクタ-ベース間電圧

3.5 V, 4.1 V

最大動作周波数

60 GHz

ピン数

4

1チップ当たりのエレメント数

1

動作温度 Max

+150 °C

寸法

2 x 1.25 x 0.8mm

BFP842ESDは、2.3~3.5 GHz LNA用途専用の高性能HBT (ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)です。Infineonによる信頼性の高い量産用SiGe:Cウェハテクノロジーに基づいています。BFP842ESDは、入力パワー整合と2.3~3.5 GHzにおけるノイズ整合が本質的に優れています。損失の大きい外付け整合部品を入力リードに配することなくノイズ整合とパワー整合を両立しており、実装において外付け部品点数の削減、良好なノイズ値、高いトランスデューサゲインが実現されます。

Infineonによる信頼性の高い量産用SiGe:Cテクノロジーに基づいた

堅牢な超低ノイズアンプ

ハイエンドのRF性能と堅牢性という他にない組み合わせ

高直線性

高遷移周波数

トランスデューサゲイン

低電圧用途に最適

低電力消費によりモバイル用途に最適

Pbフリー及びハロゲンフリーで、視認できるリード付きの、使いやすい業界標準パッケージ

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