Infineon RFトランジスタ, 高周波, NPN, 表面実装, 40 mA, BFP842ESDH6327XTSA1

BFP842ESDは、2.3～3.5 GHz LNA用途専用の高性能HBT (ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)です。Infineonによる信頼性の高い量産用SiGe:Cウェハテクノロジーに基づいています。BFP842ESDは、入力パワー整合と2.3～3.5 GHzにおけるノイズ整合が本質的に優れています。損失の大きい外付け整合部品を入力リードに配することなくノイズ整合とパワー整合を両立しており、実装において外付け部品点数の削減、良好なノイズ値、高いトランスデューサゲインが実現されます。

Infineonによる信頼性の高い量産用SiGe:Cテクノロジーに基づいた
堅牢な超低ノイズアンプ
ハイエンドのRF性能と堅牢性という他にない組み合わせ
高直線性
高遷移周波数
トランスデューサゲイン
低電圧用途に最適
低電力消費によりモバイル用途に最適
Pbフリー及びハロゲンフリーで、視認できるリード付きの、使いやすい業界標準パッケージ