バイポーラトランジスタ

バイポーラトランジスタとは半導体を NPN、または PNP と交互に接合した素子です。エミッタ、ベース、コレクタと呼ばれる3つの端子で構成され、ベース-エミッタ間に微弱な電流を流すとコレクタ-エミッタ間に数十倍から数百倍の電流が流れます。主に電圧・信号増幅やスイッチング制御などに用いられます。FET等のユニポーラに対してバイポーラと呼ばれています。

バイポーラトランジスタは半導体のPN接合を利用するので、接合型トランジスタとも呼ばれます。その構造により、NPN型とPNP型に分類されます。

• NPNトランジスタ - コレクタとエミッタがN型半導体、ベースがP型半導体で構成されています。ベース-エミッタ間に電圧を印加すると、エミッタ層に電子が注入されます。電子はベース側へ流れ込み、一部はベース層内の正孔にトラップされベース電流となります。
• PNPトランジスタ - コレクタとエミッタがP型半導体、ベースがN型半導体で構成されています。NPN型とは逆に、正孔がベース側へ移動し、一部が電子と結合してベース電流となります。大部分の正孔はコレクタ層に達し、エミッタからコレクタへ電流が流れます。

用途

電流制御素子の一種として、通常は電流の増幅やスイッチング、交流電流から直流電流への変換などに使用されます。極端な大電力や高周波などを除けば、高い増幅率や優れた量産適性で生産コストも安価に抑えることができることから、民生・産業・航空宇宙・防衛の全ての分野において幅広く利用されています。