onsemi トランジスタ, MMUN2111LT1G, 3-Pin, -100 mA PNP, SOT-23, 表面, -50 V

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梱包形態
RS品番:
184-1225
メーカー型番:
MMUN2111LT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

トランジスタ

最大DCコレクタ電流(Idc)

-100mA

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

-50V

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

トランジスタ構成

シングル

最大コレクタベース電圧 VCBO

50V

最小DC電流ゲイン(hFE)

35

最大許容損失Pd

338mW

トランジスタ極性

PNP

ピン数

3

動作温度 Max

150°C

シリーズ

MMUN2111

規格 / 承認

No

高さ

1.11mm

長さ

3.04mm

自動車規格

AEC-Q101

このシリーズのデジタルトランジスタは、シングルデバイスとその外部抵抗器バイアスネットワークの交換用に設計されています。バイアス抵抗器トランジスタ(BRT)には、2つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されたモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRTは、これらの個々のコンポーネントを1つのデバイスに統合することで排除します。BRTを使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。

回路設計を簡素化

基板スペースを削減

コンポーネントカウントを削減

これらのデバイスはPbFree、ハロゲンフリー / BFRフリー

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