onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, MMUN2235LT1G SOT-23 NPN, 3-Pin, 表面, 50 V
- RS品番:
- 184-1255
- メーカー型番:
- MMUN2235LT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 184-1255
- メーカー型番:
- MMUN2235LT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 50V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 50V | |
| 最小DC電流ゲイン（hFE） | 80 | |
| トランジスタ極性 | NPN | |
| 最大許容損失Pd | 400mW | |
| ピン数 | 3 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.11mm | |
| 長さ | 3.04mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| シリーズ | MMUN2235L | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 50V | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 50V | ||
最小DC電流ゲイン（hFE） 80 | ||
トランジスタ極性 NPN | ||
最大許容損失Pd 400mW | ||
ピン数 3 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.11mm | ||
長さ 3.04mm | ||
規格 / 承認 No | ||
シリーズ MMUN2235L | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- CN
このシリーズのデジタルトランジスタは、シングルデバイスとその外部抵抗器バイアスネットワークの交換用に設計されています。バイアス抵抗器トランジスタ(BRT)には、2つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されたモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRTは、これらの個々のコンポーネントを1つのデバイスに統合することで排除します。BRTを使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。
回路設計を簡素化
基板スペースを削減
コンポーネントカウントを削減
これらのデバイスはPbFree、ハロゲンフリー / BFRフリー