onsemi トランジスタ, 3-Pin, 10 A NPN, TO-225, スルーホール, 40 V
- RS品番:
- 184-4314
- メーカー型番:
- MJE200G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
| 500 - 2000 | ￥66.232 | ￥33,116 |
| 2500 - 4500 | ￥64.924 | ￥32,462 |
| 5000 - 12000 | ￥61.46 | ￥30,730 |
| 12500 - 24500 | ￥59.724 | ￥29,862 |
| 25000 + | ￥58.014 | ￥29,007 |
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- RS品番:
- 184-4314
- メーカー型番:
- MJE200G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | トランジスタ | |
| 最大DCコレクタ電流（Idc） | 10A | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 40V | |
| パッケージ型式 | TO-225 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 25V | |
| トランジスタ極性 | NPN | |
| 最大トランジション周波数フィート | 10MHz | |
| 最大許容損失Pd | 15W | |
| 最小DC電流ゲイン（hFE） | 10 | |
| 最大エミッタベース電圧 VEBO | 8V | |
| ピン数 | 3 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 3.25 mm | |
| 高さ | 27.1mm | |
| 長さ | 8mm | |
| シリーズ | MJE200 | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ トランジスタ | ||
最大DCコレクタ電流（Idc） 10A | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 40V | ||
パッケージ型式 TO-225 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 25V | ||
トランジスタ極性 NPN | ||
最大トランジション周波数フィート 10MHz | ||
最大許容損失Pd 15W | ||
最小DC電流ゲイン（hFE） 10 | ||
最大エミッタベース電圧 VEBO 8V | ||
ピン数 3 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 3.25 mm | ||
高さ 27.1mm | ||
長さ 8mm | ||
シリーズ MJE200 | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
バイポーラ・パワー・トランジスタは、低電圧、低消費電力、高利得オーディオ・アンプ・アプリケーション向けに設計されています。MJE200 （ NPN ）と MJE210 （ PNP ）は、補完的なデバイスです。
このバイポーラパワートランジスタは、低電圧、低電力、高ゲインオーディオアンプ用途向けに設計されています。MJE200 (NPN)及びMJE210 (PNP)は補完的なデバイスです。
高 DC 電流ゲイン
低コレクタ-エミッタ飽和電圧
高電流利得帯域幅製品
低漏洩のための環形構造
これらのデバイスは鉛フリーです
高いDC電流ゲイン
低コレクタ・エミッタ飽和電圧
高電流ゲイン - 帯域幅製品
低漏洩を実現する円形構造
これらのデバイスは鉛フリーです。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。