onsemi 抵抗内蔵トランジスタ SOT-93 PNP, 3-Pin, スルーホール, -200 V

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RS品番:
186-7418
メーカー型番:
MJH11019G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

抵抗内蔵トランジスタ

パッケージ型式

SOT-93

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

-200V

取付タイプ

スルーホール

トランジスタ構成

シングル

最大コレクタベース電圧 VCBO

150V

最大エミッタベース電圧 VEBO

5V

トランジスタ極性

PNP

最大許容損失Pd

150W

最小DC電流ゲイン（hFE）

100

ピン数

3

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

20.35mm

長さ

15.2mm

幅

4.9 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ、低周波数スイッチング、モータ制御用途として使用するように設計されています。MJH11017 、 MJH11019 、 MJH11021 （ PNP ）、 MJH11018 、 MJH11020 、 MJH11022 （ NPN ）は、コンプリメンタリデバイスです。

Darlingtonバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ、低周波スイッチング、モータ制御用途向けに設計されています。MJH11017、MJH11019、MJH11021 (PNP)、MJH11018、MJH11020、MJH11022 (NPN)は補完的なデバイスです。

高 DC 電流ゲイン @ 10 ADC - hFE = 400 分（すべてのタイプ）

コレクタ - エミッタ維持電圧 VCEO （ sus ） = 150 V dc （最小） MJH11018 、 17 VCEO （ sus ） = 200 V dc （最小） - MJH11020 、 19 VCEO （ sus ） = 250 V dc （最小） - MJH11022 、 21

低コレクタ - エミッタ飽和電圧 VCE （飽和） = 1.2 V （標準） @ IC = 5.0 A VCE （飽和） = 1.8 V （標準） @ IC = 10 A

モノリシック構造

鉛フリーパッケージを用意

高DC電流ゲイン @ 10 Adc - hFE = 400 min (すべてのタイプ)

コレクタエミッタ維持電圧VCEO(サス) = 150 V dc (最小値) MJH11018、17 VCEO(サス) = 200 V dc (最小値) - MJH11020、19 VCEO(サス) = 250 V dc (最小値) - MJH11022、21

低コレクタエミッタ飽和電圧VCE(sat) = 1.2 V (標準) @ IC = 5.0 A VCE(sat) = 1.8 V (標準) @ IC = 10 A

モノリシック構造

鉛フリーパッケージを用意

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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