onsemi トランジスタ, BUL45D2G, 3-Pin, 10 A NPN, TO-220, スルーホール, 400 V

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梱包形態
RS品番:
186-8032
メーカー型番:
BUL45D2G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

トランジスタ

最大DCコレクタ電流(Idc)

10A

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

400V

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

トランジスタ構成

シングル

最大コレクタベース電圧 VCBO

700V dc

最大許容損失Pd

75W

トランジスタ極性

NPN

最小DC電流ゲイン(hFE)

7

最大エミッタベース電圧 VEBO

12V dc

最大トランジション周波数フィート

1MHz

動作温度 Min

-65°C

ピン数

3

動作温度 Max

150°C

4.83 mm

高さ

15.75mm

規格 / 承認

No

長さ

10.53mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN
BUL45D2 は、最先端の高速高ゲインバイポーラトランジスタ( H2BIP )です。優れたダイナミック特性と、蓄積時間で 150 ns 以上の最小拡散率を備え、光バラスト用途に最適です。したがって、 hFE ウィンドウを保証する必要はありません。

BUL45D2は、最先端の高速高ゲインBIPolarトランジスタ(H2BIP)です。高いダイナミック性能と保管時間におけるロット対ロットの最小拡散時間(150 ns)により、軽量バラスト用途に最適です。したがって、hFEウィンドウを保証する必要はありません。

低ベースドライブ要件

高 Peak DC 電流ゲイン( 55 標準) @ IC = 100 mA

極めて低い保管時間と最小 / 最大の保証: H2BIP 構造により、広がりを最小限に抑えます

コレクタ内蔵 - エミッタフリーホイールダイオード

完全特性化および保証されたダイナミック VCE ( sat )

「 6 シグマ」プロセスにより、厳密で再現性のあるパラメータの拡散を実現します

鉛フリーパッケージを用意

低ベースドライブ要件

高ピークDC電流ゲイン(標準55) @ IC = 100 mA

拡散を最小限に抑えるH2BIP構造により、非常に低い保管時間の最小 / 最大保証

内蔵コレクタエミッタフリーホイールダイオード

完全に特性化され、保証されたダイナミックVCE(sat)

しっかりと再現可能なパラメータスプレードを提供する「6 Sigma」プロセス

鉛フリーパッケージを用意

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