onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NSS12201LT1G SOT-23 NPN, 3-Pin, 表面, 12 V
- RS品番:
- 186-8467
- メーカー型番:
- NSS12201LT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋25個入り) 小計:*
¥1,656.00
(税抜)
¥1,821.50
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
取扱終了 在庫限り
- 2,450 は海外在庫あり(最終在庫)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 25 - 125 | ¥66.24 | ¥1,656 |
| 150 - 1350 | ¥57.56 | ¥1,439 |
| 1375 - 1725 | ¥49.96 | ¥1,249 |
| 1750 - 2225 | ¥41.24 | ¥1,031 |
| 2250 + | ¥32.60 | ¥815 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 186-8467
- メーカー型番:
- NSS12201LT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 12V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 12V | |
| 最大エミッタベース電圧 VEBO | 6V dc | |
| 最大許容損失Pd | 540mW | |
| トランジスタ極性 | NPN | |
| 最小DC電流ゲイン(hFE) | 200 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| ピン数 | 3 | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 長さ | 3.04mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 12V | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 12V | ||
最大エミッタベース電圧 VEBO 6V dc | ||
最大許容損失Pd 540mW | ||
トランジスタ極性 NPN | ||
最小DC電流ゲイン(hFE) 200 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
ピン数 3 | ||
高さ 1.1mm | ||
長さ 3.04mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
一般的な用途は、携帯電話やコードレス電話、PDA、コンピュータ、プリンタ、デジタルカメラ、MP3プレーヤーなどのポータブル及びバッテリ駆動製品のDC-DCコンバータ及び電源管理です。その他の用途は、ディスクドライブやテープドライブなどの大容量ストレージ製品の低電圧モータ制御です。自動車産業では、エアバッグのデプロイや機器クラスタで使用できます。高電流ゲインにより、e2PowerEdgeデバイスをPMUの制御出力から直接駆動できます。また、リニアゲイン(ベータ)により、アナログアンプに最適なコンポーネントになります。
高電流、低VCE(sat)、ESD堅牢、高電流ゲイン、高カットオフ周波数、低プロファイルパッケージ、リニアゲイン(ベータ)
利点
回路効率の向上、バッテリ充電時間の短縮、コンポーネント数の削減、高周波スイッチング、小型ポータブル製品、歪みなし
用途
負荷スイッチング、バッテリ充電、外部パストランジスタ、DC/DCコンバータ、補助ドライバ、電流延長及び低ドロップアウト調整、カソード蛍光灯ドライブ、周辺機器ドライバ - LED、モータ、リレー
