onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, MMBT589LT1G SOT-23 PNP, 3-Pin, 表面, -30 V
- RS品番:
- 186-8517
- メーカー型番:
- MMBT589LT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 186-8517
- メーカー型番:
- MMBT589LT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | -30V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | -50V | |
| 最小DC電流ゲイン（hFE） | 100 | |
| 最大許容損失Pd | 710mW | |
| 最大エミッタベース電圧 VEBO | 5V dc | |
| トランジスタ極性 | PNP | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| ピン数 | 3 | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 長さ | 3.04mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo -30V | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO -50V | ||
最小DC電流ゲイン（hFE） 100 | ||
最大許容損失Pd 710mW | ||
最大エミッタベース電圧 VEBO 5V dc | ||
トランジスタ極性 PNP | ||
動作温度 Max 150°C | ||
ピン数 3 | ||
高さ 1.1mm | ||
長さ 3.04mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
低VCE(sat)バイポーラトランジスタは、超低飽和電圧VCE(sat)と高電流ゲイン機能を備えたミニチュア表面実装デバイスです。これらは、手頃な価格で効率的なエネルギー制御が重要な低電圧、高速スイッチング用途向けに設計されています。
低rDS(on)により、効率が向上し、バッテリ寿命が延長
ミニチュアSOT-23表面実装パッケージで基板スペースを節約
鉛フリーパッケージを用意
独自のサイト及び制御変更要件を必要とする自動車及びその他の用途向けのNSVプレフィックス、PPAP対応