onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, MMBT589LT1G

低 VCE （ sat ）バイポーラトランジスタは、超低飽和電圧 VCE （ sat ）及び高電流ゲイン機能を備えた小型の表面実装デバイスです。手頃な価格の効率的な電力制御が重要な、低電圧、高速スイッチング用途向けに設計されています。

低 RDS （ on ）：高効率を実現し、バッテリ寿命を延長します
基板スペースを節約する小型 SOT-23 表面実装パッケージ
鉛フリーパッケージを用意
品番の先頭が「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。