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ディスクリート・ディスクリート半導体
バイポーラトランジスタ
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, NVJD5121NT1G
RS品番:
186-8530
メーカー型番:
NVJD5121NT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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取扱終了
RS品番:
186-8530
メーカー型番:
NVJD5121NT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
データシート
その他
詳細情報
仕様
Datasheet NVJD5121NT1G
RoHSステータス: 適合
低電力用途に最適な車載用パワー MOSFET です。60 V 、 295 mA 1.6 Ω デュアル N チャンネル SC-88 は、 ESD 保護、ロジックレベルを備えています。車載用途に適したMOSFETで、PPAPに対応しています。
低 RDS ( on )向けの最先端のトレンチ技術
低ゲートしきい値
低入力静電容量
ESD保護ゲート
PPAP対応
最終製品
インフォテイメントシステム無線。ナビゲーションシステム。クラスタ
用途
ローサイド負荷スイッチ
DC-DC コンバータ(バック / ブースト回路)
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
特性
パッケージタイプ
SC-88
実装タイプ
表面実装
最大パワー消費
250 mW
ピン数
6
1チップ当たりのエレメント数
2
寸法
2.2 x 1.35 x 1mm
動作温度 Max
+150 °C