onsemi バイポーラトランジスタ, 3-Pin, 100 A NPN, TO-247, スルーホール, 650 V
- RS品番:
- 195-2573
- メーカー型番:
- AFGHL50T65SQDC
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 195-2573
- メーカー型番:
- AFGHL50T65SQDC
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- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | バイポーラトランジスタ | |
| 最大DCコレクタ電流(Idc) | 100A | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大許容損失Pd | 238W | |
| トランジスタ極性 | NPN | |
| 最大トランジション周波数フィート | 1MHz | |
| 動作温度 Min | 175°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| ピン数 | 3 | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101 | |
| シリーズ | AFGHL50T65SQDC | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ バイポーラトランジスタ | ||
最大DCコレクタ電流(Idc) 100A | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 650V | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大許容損失Pd 238W | ||
トランジスタ極性 NPN | ||
最大トランジション周波数フィート 1MHz | ||
動作温度 Min 175°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
ピン数 3 | ||
規格 / 承認 AEC-Q101 | ||
シリーズ AFGHL50T65SQDC | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
ON Semiconductor の新しいハイブリッド IGBT シリーズは、新しいフィールドストップ IGBT と SiC SBD 技術を使用し、ハードスイッチング用途に最適な性能を提供します。このデバイスは、シリコンベースの IGBT と SiC ショットキーバリアダイオードを共存パッケージにしているため、シリコンベースのソリューションの性能と完全に SiC ベースのソリューションより高いコストのトレードオフが優れています。
SiC ショットキーバリアダイオードに対応しています
超低逆回復損失
最大ジャンクション温度: TJ = 175 °C
高い信頼性
スイッチング損失及び導電損失が非常に低い
正の温度係数
パラメータのばらつきが少ない
用途
自動車
産業、インバータ
DC-DCコンバータ
PFC 、トーテムポールブリッジレス
ハードスイッチング
