Nexperia 抵抗内蔵トランジスタ, PUMD2,115, 6-Pin, 100 mA NPN + PNP, UMT, 表面, 50 V

RS品番:: 518-3756
メーカー型番:: PUMD2,115
メーカー/ブランド名:: Nexperia

Nexperia 抵抗内蔵トランジスタ, PUMD2,115, 6-Pin, 100 mA NPN + PNP, UMT, 表面, 50 V

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RS品番:: 518-3756
メーカー型番:: PUMD2,115
メーカー/ブランド名:: Nexperia

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詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Nexperia
	プロダクトタイプ	抵抗内蔵トランジスタ
	最大DCコレクタ電流（Idc）	100mA
	最大コレクタエミッタ電圧 Vceo	50V
	パッケージ型式	UMT
	取付タイプ	表面
	トランジスタ構成	分離式
	最大コレクタベース電圧 VCBO	50V
	動作温度 Min	0°C
	最大トランジション周波数フィート	230MHz
	最大エミッタベース電圧 VEBO	10V
	最大許容損失Pd	200mW
	最小DC電流ゲイン（hFE）	60
	トランジスタ極性	NPN + PNP
	ピン数	6
	動作温度 Max	150°C
	高さ	1.1mm
	規格 / 承認	RoHS
	シリーズ	PUMD2
	長さ	2.2mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Nexperia
	プロダクトタイプ抵抗内蔵トランジスタ
	最大DCコレクタ電流（Idc） 100mA
	最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 50V
	パッケージ型式 UMT
	取付タイプ表面
	トランジスタ構成分離式
	最大コレクタベース電圧 VCBO 50V
	動作温度 Min 0°C
	最大トランジション周波数フィート 230MHz
	最大エミッタベース電圧 VEBO 10V
	最大許容損失Pd 200mW
	最小DC電流ゲイン（hFE） 60
	トランジスタ極性 NPN + PNP
	ピン数 6
	動作温度 Max 150°C
	高さ 1.1mm
	規格 / 承認 RoHS
	シリーズ PUMD2
	長さ 2.2mm
	自動車規格 AEC-Q101

COO（原産国）:: MY

表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージ(RET)に収められた、NPN / PNPダブル抵抗内蔵型トランジスタ(RET)です。

出力電流容量: 101 mA

内蔵バイアス抵抗器

回路設計の簡素化

コンポーネント数の削減

ピックアンドプレースコストの削減

用途

低電流ペリフェラルドライバ

IC入力の制御

デジタル用途で使用されている汎用トランジスタを置き換え