Toshiba 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, RN1110(F)

内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能
幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合
RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助
用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路
SSMパッケージ

デジタルトランジスタ、 Toshiba

「デジタルトランジスタ」、「バイアス抵抗器トランジスタ」としても知られている、抵抗器を備えたバイポーラトランジスタです。内蔵抵抗器を1つ又は2つ組み込んでいます。単一の直列入力抵抗器、又は2つの抵抗器の分圧回路により、これらのデバイスをデジタルソースから直接駆動できます。シングルトランジスタバージョンとデュアルトランジスタバージョンをご用意しています。