STMicroelectronics トランジスタ, NPN, 表面実装, 3 A, 2STN1360
- RS品番:
- 686-8007
- メーカー型番:
- 2STN1360
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
取扱終了
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- RS品番:
- 686-8007
- メーカー型番:
- 2STN1360
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| トランジスタタイプ | NPN | |
| 最大DCコレクタ電流 | 3 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 60 V | |
| パッケージタイプ | SOT-223 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| 最大パワー消費 | 1600 mW | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大コレクタ-ベース間電圧 | 80 V | |
| 最大エミッタ-ベース間電圧 | 6 V | |
| 最大動作周波数 | 130 MHz | |
| ピン数 | 3 + Tab | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 寸法 | 1.8 x 6.5 x 3.5mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
トランジスタタイプ NPN | ||
最大DCコレクタ電流 3 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 60 V | ||
パッケージタイプ SOT-223 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
最大パワー消費 1600 mW | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大コレクタ-ベース間電圧 80 V | ||
最大エミッタ-ベース間電圧 6 V | ||
最大動作周波数 130 MHz | ||
ピン数 3 + Tab | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
寸法 1.8 x 6.5 x 3.5mm | ||
STMicroelectronics の低電圧高速スイッチング NPN パワートランジスタには、 2 種類の金属プロセスを採用した新しい低電圧平面その結果、非常に高いゲイン性能と非常に低い飽和電圧を兼ね備えたトランジスタになっています。コンプリメンタリ PNP タイプには、 2STD2360T4 、 2STF2360 、 2STN2360 があります。
超低コレクタ - エミッタ飽和電圧
高電流ゲイン特性
高速スイッチング速度
高電流ゲイン特性
高速スイッチング速度