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ディスクリート・ディスクリート半導体
バイポーラトランジスタ
ローム トランジスタ, NPN, 表面実装, 150 mA, IMX1T110
RS品番:
700-2775P
メーカー型番:
IMX1T110
メーカー/ブランド名:
ローム
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取扱終了
RS品番:
700-2775P
メーカー型番:
IMX1T110
メーカー/ブランド名:
ローム
データシート
その他
詳細情報
仕様
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
EMX1, UMX1N, IMX1_J
Group 6
3D
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RoHSステータス: 適合
デュアルバイポーラトランジスタ、ROHM
集積回路の半導体パッケージごとに2個のトランジスタを搭載しています。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
バイポーラトランジスタ、ローム
特性
トランジスタタイプ
NPN
最大DCコレクタ電流
150 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧
50 V
パッケージタイプ
SMT
実装タイプ
表面実装
最大パワー消費
150 mW
最小DC電流ゲイン
120
トランジスタ構成
絶縁型
最大コレクタ-ベース間電圧
60 V
最大エミッタ-ベース間電圧
7 V
最大動作周波数
180 MHz
ピン数
6
1チップ当たりのエレメント数
2
寸法
1.1 x 2.9 x 1.6mm
動作温度 Max
+150 °C