Infineon トランジスタ, BCM856SH6327XTSA1, 6-Pin, -100 mA PNP, SOT-363, 表面, -65 V
- RS品番:
- 752-7965
- メーカー型番:
- BCM856SH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 個(1個50個入り) 小計:*
¥2,145.00
(税抜)
¥2,359.50
(税込)
在庫情報に現在アクセスできません - 後ほどご確認ください
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 50 - 100 | ¥42.90 | ¥2,145 |
| 150 - 1200 | ¥37.38 | ¥1,869 |
| 1250 - 1450 | ¥31.80 | ¥1,590 |
| 1500 - 2450 | ¥26.98 | ¥1,349 |
| 2500 + | ¥21.46 | ¥1,073 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 752-7965
- メーカー型番:
- BCM856SH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | トランジスタ | |
| 最大DCコレクタ電流(Idc) | -100mA | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | -65V | |
| パッケージ型式 | SOT-363 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 80V | |
| 最大許容損失Pd | 250mW | |
| トランジスタ極性 | PNP | |
| 動作温度 Min | 0°C | |
| 最小DC電流ゲイン(hFE) | 200 | |
| 最大エミッタベース電圧 VEBO | 5V | |
| 最大トランジション周波数フィート | 250MHz | |
| ピン数 | 6 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 2mm | |
| 高さ | 0.9mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| シリーズ | BCM856 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ トランジスタ | ||
最大DCコレクタ電流(Idc) -100mA | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo -65V | ||
パッケージ型式 SOT-363 | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 80V | ||
最大許容損失Pd 250mW | ||
トランジスタ極性 PNP | ||
動作温度 Min 0°C | ||
最小DC電流ゲイン(hFE) 200 | ||
最大エミッタベース電圧 VEBO 5V | ||
最大トランジション周波数フィート 250MHz | ||
ピン数 6 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 2mm | ||
高さ 0.9mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
シリーズ BCM856 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
デュアル整合バイポーラトランジスタ、インフィニオン
Bipolar Transistors, Infineon
関連ページ
- Infineon トランジスタ -100 mA PNP 表面, -65 V
- Nexperia トランジスタ115 -100 mA PNP 表面, -65 V
- インフィニオン PNP トランジスタ SOT-363 (SC-88), 表面実装
- インフィニオン PNP トランジスタ SOT-363 (SC-88), 表面実装
- インフィニオン PNP 抵抗内蔵トランジスタ 表面実装
- Nexperia トランジスタ -100 mA PNP 表面, -65 V
- Infineon 抵抗内蔵トランジスタ 6-Pin SOT-363 (SC-88) 50 V
- インフィニオン NPN + PNP 抵抗内蔵トランジスタ 表面実装
