Taiwan Semiconductor ブリッジ整流器, シングル, Vrrm 1000 V, If 4 A, Ifsm 280 A, Vf 1.1 V, Ir 500 μA, 4ピン, GBU
- RS品番:
- 900-8955
- メーカー型番:
- GBU407
- メーカー/ブランド名:
- Taiwan Semiconductor
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 本(1本20個入り) 小計：*
￥3,430.00
(税抜)
￥3,773.00
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年2月08日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 20 - 480 | ￥171.50 | ￥3,430 |
| 500 - 4980 | ￥166.70 | ￥3,334 |
| 5000 - 9980 | ￥137.40 | ￥2,748 |
| 10000 - 19980 | ￥120.35 | ￥2,407 |
| 20000 + | ￥103.55 | ￥2,071 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 900-8955
- メーカー型番:
- GBU407
- メーカー/ブランド名:
- Taiwan Semiconductor
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Taiwan Semiconductor | |
| プロダクトタイプ | ブリッジ整流器 | |
| ピーク逆反復電圧 Vrrm | 1000V | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| フェーズの数 | 1 | |
| パッケージ型式 | GBU | |
| ピン数 | 4 | |
| 構成 | シングル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| ピーク非反復順方向サージ電流 Ifsm | 280A | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電流（If） | 4A | |
| ピーク順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| シリーズ | GBU4 | |
| 幅 | 3.56mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 22.3mm | |
| 高さ | 18.8mm | |
| ピーク逆電流（Ir） | 500μA | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Taiwan Semiconductor | ||
プロダクトタイプ ブリッジ整流器 | ||
ピーク逆反復電圧 Vrrm 1000V | ||
取付タイプ スルーホール | ||
フェーズの数 1 | ||
パッケージ型式 GBU | ||
ピン数 4 | ||
構成 シングル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
ピーク非反復順方向サージ電流 Ifsm 280A | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電流（If） 4A | ||
ピーク順方向電圧 Vf 1.1V | ||
シリーズ GBU4 | ||
幅 3.56mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 22.3mm | ||
高さ 18.8mm | ||
ピーク逆電流（Ir） 500μA | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- CN
GBU401～GBU407、4 A 単相ブリッジ整流器、Taiwan Semiconductor
基板(PCB)スルーホール実装に最適
1500 V rmsの高いケース絶縁性
耐高サージ電流
標準的な逆電流: 0.1 μA未満
ブリッジ整流器 - Taiwan Semiconductor
ブリッジ整流器はダイオードの汎用製品で、交流(AC)入力を直流(DC)出力に変換することで知られています。 ダイオードブリッジは、ブリッジ回路構成に4つのダイオードを配置したもので、いずれかの入力極性と同じ出力極性を提供します。
Approvals
UL、E-326243
関連ページ
- Taiwan Semiconductor ブリッジ整流器 Vrrm 600 V Ifsm 220 A Ir 15 A GBU
- Taiwan Semiconductor ブリッジ整流器 Vrrm 800 V Ifsm 220 A Ir 5 μA GBU
- Taiwan Semiconductor ブリッジ整流器 Vrrm 1000 V Ifsm 220 A Ir 0 μA GBU
- Taiwan Semiconductor ブリッジ整流器 Vrrm 100 V Ifsm 200 A Ir 500 μA GBU
- Taiwan Semiconductor ブリッジ整流器 Vrrm 200 V Ifsm 200 A Ir 500 μA GBU
- Taiwan Semiconductor ブリッジ整流器 Vrrm 100 V Ifsm 175 A Ir 500 μA GBU
- Taiwan Semiconductor ブリッジ整流器 Vrrm 600 V Ifsm 175 A Ir 500 μA GBU
- Taiwan Semiconductor 標準ブリッジ整流器 Vrrm 400 V Ifsm 280 A Ir 500 μA GBU