onsemi バッファ MC14050BDR2G 6 4000 非反転 16-Pin SOIC いいえ 電流 / 電圧

MC14049B ヘキサインバータ / バッファ及び MC14050B 非反転六角バッファは、 1 つのモノリシック構造に MOS P チャンネル及び N チャンネル拡張モードデバイスを搭載した構造になっています。これらの相補的な MOS デバイスは、低消費電力又は高いノイズ耐性が求められる用途での主な使用に使用されています。これらのデバイスは、 1 つの電源電圧、 VDD のみを使用したロジックレベル変換を提供します。 入力信号の高レベル（ VIH ）は、ロジックレベル変換のために VDD 供給電圧を超えることができます。デバイス<>が CMOS/TTL/DTL コンバータとして使用されている場合、 2 つの TTL/DTL 負荷を駆動できます（ VDD = 5.0 V 、 VOL = 0.4 V 、 IOL = 3.2 mA ）。

MC14049B ヘキサインバータ / バッファ及び MC14050B 非反転六角バッファは、 1 つのモノリシック構造に MOS P チャンネル及び N チャンネル拡張モードデバイスを搭載した構造になっています。これらの相補的な MOS デバイスは、低消費電力又は高いノイズ耐性が求められる用途での主な使用に使用されています。これらのデバイスは、 1 つの電源電圧、 VDD のみを使用したロジックレベル変換を提供します。 入力信号の高レベル（ VIH ）は、ロジックレベル変換のために VDD 供給電圧を超えることができます。デバイス<>が CMOS/TTL/DTL コンバータとして使用されている場合、 2 つの TTL/DTL 負荷を駆動できます（ VDD = 5.0 V 、 VOL = 0.4 V 、 IOL = 3.2 mA ）。

高ソース電流及びシンク電流

高ソース電流及びシンク電流

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