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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	ルネサスエレクトロニクス
	プロダクトタイプ	バススイッチ
	論理回路	CBT
	構成	12 x 1:1
	1チップ当たりのエレメント数	4
	最大静止電流	4mA
	最小電源電圧	2.3V
	最大電源電圧	3.6V
	ピン数	20
	最大オン状態抵抗値	4Ω
	最大伝搬遅延時間@CL	0.2ns
	動作温度 Min	-40°C
	動作温度 Max	85°C
	シリーズ	QS3VH245
	規格 / 承認	RoHS
	バス幅	8bit
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドルネサスエレクトロニクス
	プロダクトタイプバススイッチ
	論理回路 CBT
	構成 12 x 1:1
	1チップ当たりのエレメント数 4
	最大静止電流 4mA
	最小電源電圧 2.3V
	最大電源電圧 3.6V
	ピン数 20
	最大オン状態抵抗値 4Ω
	最大伝搬遅延時間@CL 0.2ns
	動作温度 Min -40°C
	動作温度 Max 85°C
	シリーズ QS3VH245
	規格 / 承認 RoHS
	バス幅 8bit
	自動車規格なし

Datasheet - QS3VH245QG

Renesas Electronics QS3VH245ホットスイッチ8ビットバススイッチは、極めて低いオン抵抗を備えた高帯域幅バススイッチで、スイッチ経由の伝播遅延は250 ps未満です。このスイッチは、LVTTL互換の出力イネーブル信号の制御でオンにすることができ、データフローの双方向性を実現するため、遅延やアースバウンスを追加する必要はありません。ほぼゼロの拡散遅延、高いオフインピーダンス、及び過電圧許容差の組み合わせにより、QS3VH245は高性能通信用途に最適です。QS3VH245は、-40 ℃→ +85 °Cで動作します。

寄生ダイオードなしのNチャンネルFETスイッチ - VCC

電源オフ条件下での絶縁

VCC又はGNDへのDCパスなし

オフ及びオン状態で5 Vの許容差

5 V許容差I/O

低RON - 4 Ω (標準)

動作範囲にわたるフラットRON特性

レール対レールスイッチング: 0 → 5 V

ほぼゼロ遅延の双方向データフロー: アースブーンスを追加しない

チャンネル間の優れたRONマッチング

高帯域幅 - 最大500 MHz

Renesas Electronics QS3VH245QG バススイッチ, 20-Pin 12 x 1:1

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