マイクロチップ, パラレルEEPROM 1Mbit パラレル

高パフォーマンスの1M EEPROMは、200 nsのアクセス時間、54 mWの消費電力、3.0 Vの電源電圧を提供します。

特長:
シングル3.3 V ± 10 %電源
高速の読み取りアクセス時間: 200 ns
自動ページ書き込み操作
128バイトの内部アドレスとデータラッチ
内部制御タイマ
高速の書き込みサイクル時間
ページの書き込みサイクル時間: 10 ms (最大)
1 → 128バイトのページ書き込み操作
低電力損失:
15 mAアクティブ電流
20 μA CMOSスタンバイ電流
ハードウェア及びソフトウェアのデータ保護
書き込み検出終了のデータポーリング
信頼性が高いCMOSテクノロジー
耐久性: 105回
データ保持: 10年間
バイト単位のピン配列
産業用温度範囲
緑(Pb / ハロゲンフリー)パッケージオプションのみ