- RS品番:
- 889-5667
- メーカー型番:
- 25AA512-I/SN
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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単価: 購入単位は100個
¥401.54
(税抜)
¥441.69
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
100 - 400 | ¥401.54 | ¥40,154.00 |
500 - 900 | ¥393.51 | ¥39,351.00 |
1000 - 2400 | ¥385.64 | ¥38,564.00 |
2500 - 4900 | ¥377.93 | ¥37,793.00 |
5000 + | ¥370.37 | ¥37,037.00 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 889-5667
- メーカー型番:
- 25AA512-I/SN
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
その他
- COO(原産国):
- CN
詳細情報
25AA512/25LC512 SPIシリアルEEPROM
Microchipの25AA512/25LC512ファミリのデバイスは、32 KビットSPIシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。 一般に、フラッシュベース製品に関連するページ、セクタ、チップ消去機能を搭載しています。
シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)はクロック入力(SCK)、データ入力(SI)、データ出力(SO)信号が必要な場合に利用します。 このデバイスの動作はホールドピン(HOLD)から一時停止できます。これにより、チップセレクト(CS)ピンから定義されている優先度の高い割り込みを除く入力が無視されます。
シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)はクロック入力(SCK)、データ入力(SI)、データ出力(SO)信号が必要な場合に利用します。 このデバイスの動作はホールドピン(HOLD)から一時停止できます。これにより、チップセレクト(CS)ピンから定義されている優先度の高い割り込みを除く入力が無視されます。
特長
最大クロック速度: 20 MHz
バイト及びページレベルの書き込み操作(最大5 ms): ページ又はセクタ消去が不要
128バイトページ
最大書き込み電流: 5 mA @ 5.5 V、20 MHz
読み取り電流: 10 mA @ 5.5 V、20 MHz
スタンバイ電流: 1 μA @ 2.5 V (ディープパワーダウン)
デバイスID用の電子署名
セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: ページ消去(5 ms、標準)、セクタ消去(10 ms/セクタ、標準)、バルク消去(10 ms、標準)
セクタ書き込み保護(16 Kバイト/セクタ): 保護なし、1/4、1/2、全アレイ
内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン
耐久性: 100万回の消去 / 書き込み
データ保持: >200年間
ESD保護: >4000 V
バイト及びページレベルの書き込み操作(最大5 ms): ページ又はセクタ消去が不要
128バイトページ
最大書き込み電流: 5 mA @ 5.5 V、20 MHz
読み取り電流: 10 mA @ 5.5 V、20 MHz
スタンバイ電流: 1 μA @ 2.5 V (ディープパワーダウン)
デバイスID用の電子署名
セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: ページ消去(5 ms、標準)、セクタ消去(10 ms/セクタ、標準)、バルク消去(10 ms、標準)
セクタ書き込み保護(16 Kバイト/セクタ): 保護なし、1/4、1/2、全アレイ
内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン
耐久性: 100万回の消去 / 書き込み
データ保持: >200年間
ESD保護: >4000 V
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
EEPROMシリアルアクセス - Microchip
仕様
特性 | |
---|---|
メモリサイズ | 512kbit |
インターフェースタイプ | シリアル-SPI |
パッケージタイプ | SOIC |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 8 |
構成 | 64 K x 8ビット |
動作供給電圧 Min | 1.8 V |
動作供給電圧 Max | 5.5 V |
プログラミング電圧 | 1.8 → 5.5V |
1ワード当たりのビット数 | 8bit |
寸法 | 4.9 x 3.9 x 1.25mm |
ワード数 | 64k |
最大ランダムアクセス時間 | 250ns |
動作温度 Max | +85 °C |
動作温度 Min | -40 °C |
データ保持 | 200年 |