ボリュームディスカウント対象商品
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | ￥73.80 | ￥1,845 |
| 125 - 1100 | ￥65.80 | ￥1,645 |
| 1125 - 1475 | ￥57.80 | ￥1,445 |
| 1500 - 1975 | ￥49.76 | ￥1,244 |
| 2000 + | ￥41.80 | ￥1,045 |
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- RS品番:
- 186-9151
- メーカー型番:
- MC14511BDR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| ピン数 | 16 | |
| 寸法 | 10 x 4 x 1.5mm | |
| 動作供給電圧 Max | 18 V | |
| 動作温度 Max | +125 °C | |
| 動作供給電圧 Min | 3 V | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
ピン数 16 | ||
寸法 10 x 4 x 1.5mm | ||
動作供給電圧 Max 18 V | ||
動作温度 Max +125 °C | ||
動作供給電圧 Min 3 V | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
低ロジック回路電力損失
高電流ソース出力（最大 25 mA ）
ラッチによるコードの保存
ブランキング入力
ランプテスト機能を搭載
すべての不正な入力の組み合わせに対する読み出しブランキング
ランプ強度変調機能
Time Share （多重化）ファシリティ
供給電圧範囲： 3.0 → 18 V
2 つの低電力 TTL 負荷、 1 つの低電力ショットキー TTL 負荷、又は定格温度範囲に渡る 2 つの HTL 負荷を駆動することができます
チップの複雑さ： 216 FET または 54 相当 Gates
すべての入力でトリプルダイオード保護
鉛フリーパッケージで提供されます。ここに記載されている仕様は、標準デバイスと鉛フリーデバイスの両方に適用されます。
高電流ソース出力（最大 25 mA ）
ラッチによるコードの保存
ブランキング入力
ランプテスト機能を搭載
すべての不正な入力の組み合わせに対する読み出しブランキング
ランプ強度変調機能
Time Share （多重化）ファシリティ
供給電圧範囲： 3.0 → 18 V
2 つの低電力 TTL 負荷、 1 つの低電力ショットキー TTL 負荷、又は定格温度範囲に渡る 2 つの HTL 負荷を駆動することができます
チップの複雑さ： 216 FET または 54 相当 Gates
すべての入力でトリプルダイオード保護
鉛フリーパッケージで提供されます。ここに記載されている仕様は、標準デバイスと鉛フリーデバイスの両方に適用されます。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。