Renesas Electronics FIFOメモリ

ルネサスエレクトロニクスのメモリバッファは、デュアルポートで、ファーストイン / ファーストアウトベースでデータを読み取り、データを空にする内蔵ポインタを備えています。このデバイスは、フル / 空フラグを使用して、データオーバーフロー及びアウトフローを防止し、拡張ロジックを使用して、ワードサイズと奥行きの両方で無制限の拡張機能を実現します。データは、書き込み(W)ピンと読み込み(R)ピンを使用してデバイスに移動します。このデバイスの9ビット幅により、ユーザーが選択できる制御又はパリティのビットが得られます。また、RTが低パルスになったときに読み取りポインタを初期位置にリセットできるRT (RT)機能も備えています。ハーフフルフラグは、シングルデバイス及び幅拡張モードで使用できます。マルチプロセッサ、レートバッファリング、その他の用途での非同期及び同時読み取り / 書き込みが必要な用途向けに設計されています。

これらのFIFOは、高速CMOS技術を使用して製造されています。
ファーストイン / ファーストアウトデュアルポートメモリ。
低消費電力を実現します。
非同期及び同時読み取り / 書き込み。
ワードの奥行きと幅の両方で完全に拡張可能です。
-40°C → +85 °Cの産業用温度範囲を用意しています。