Infineon フラッシュメモリ NOR, 128 MB, クワッドSPI, 8-Pin, S25FL128LAGNFI010 WSON

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仕様

データシート

その他

詳細情報

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2 M ビット強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）論理

256 K x 8 として構成されています

高耐久性の読み取り / 書き込み 10 兆（ 1014

121 年のデータ保持

NODELAY ™書き込み

Advanced の高信頼性強誘電体プロセス

超高速シリアルペリフェラルインターフェイス（ SPI ）

周波数：最大 33 MHz

シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です

SPI モード 0 （ 0 、 0 ）及びモード 3 （ 1 、 1 ）をサポート

洗練された書き込み保護スキーム

書き込み保護（ WP ）ピンを使用したハードウェア保護

書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護

1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護

デバイス ID

メーカー ID と製品 ID

低消費電力

アクティブ電流： 3 mA @ 33 MHz

スタンバイ電流： 400  A

12  A スリープモード電流

低電圧動作： VDD = 2.0 → 3.6 V

拡張温度：– 40 → +105 ° C

8 ピン薄型デュアルフラットノーリード（ DFN ）パッケージです

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