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半導体
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メモリチップ・不揮発性メモリ・揮発性メモリ
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フラッシュメモリ・NAND型・NOR型
マイクロチップ, フラッシュメモリ 1MB パラレル, 32-Pin, SST39SF010A-70-4I-WHE
RS品番:
823-4507
メーカー型番:
SST39SF010A-70-4I-WHE
メーカー/ブランド名:
Microchip
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取扱終了
RS品番:
823-4507
メーカー型番:
SST39SF010A-70-4I-WHE
メーカー/ブランド名:
Microchip
データシート
その他
詳細情報
仕様
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlash®メモリ
Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは、パラレルの多目的SuperFlash®メモリICです。
特長
4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作
耐久性 – 100,000回(標準)
低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値)
セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ
読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns
セクタ消去時間: 18 ms
チップ消去時間: 70 ms(標準)
バイトプログラム時間 – 14 μs(標準)
チップ書換え時間 – SST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値)
ラッチ付きアドレス及びデータ
自動書き込み時間 – 内部VPP生成
End-of-Write検出 – トグルビット – データ#ポーリング
TTL I/O互換品
JEDEC規格 – フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
フラッシュメモリ、Microchip
特性
メモリサイズ
1MB
インターフェースタイプ
パラレル
パッケージタイプ
TSOP
ピン数
32
構成
128 K x 8ビット
実装タイプ
表面実装
セルタイプ
スプリットゲート
動作供給電圧 Min
4.5 V
動作供給電圧 Max
5.5 V
ブロック構成
対称
長さ
8.1mm
高さ
1.05mm
幅
12.5mm
寸法
12.5 x 8.1 x 1.05mm
動作温度 Max
+85 °C
シリーズ
SST39
最大ランダムアクセス時間
70ns
動作温度 Min
-40 °C
ワード数
128K
1ワード当たりのビット数
8bit
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