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    Infineon FRAMメモリ, 4kbit, SOIC, SPI, FM25L04B-G

    RS品番:
    125-4224
    メーカー型番:
    FM25L04B-G
    メーカー/ブランド名:
    Infineon
    Infineon
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    Infineon

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    詳細情報

    F-RAM 、 Cypress Semiconductor


    強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。

    不揮発性強誘電体RAMメモリ
    高速書き込み
    高耐久性
    低消費電力

    4 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ( F-RAM )は、論理的に 512 x 8 として構成されています
    高耐久性: 100 兆( 1014 )の読み取り / 書き込み
    151 年間のデータ保持
    NODELAY ™書き込み
    Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
    超高速シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI )
    周波数:最大 20 MHz
    シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
    SPI モード 0 ( 0 、 0 )及びモード 3 ( 1 、 1 )をサポート
    洗練された書き込み保護スキーム
    書き込み保護( WP )ピンを使用したハードウェア保護
    書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護
    1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護
    低消費電力
    アクティブ電流: 200 μ A @ 1 MHz
    スタンバイ電流: 3 μ A (標準
    低電圧動作: VDD = 2.7 → 3.6 V
    産業用温度: -40 → +85 ° C
    パッケージ
    8 ピン小型アウトライン集積回路( SOIC )パッケージ
    8 ピン薄型デュアルフラットノーリード( DFN )パッケージです


    FRAM (強誘電体RAM)


    FRAM (強誘電体ランダムアクセスメモリ)は、データを格納するためのコンデンサとして強誘電体フィルムを使用する不揮発性メモリです。 F-RAMは、ROMデバイスとRAMデバイスの両方の特性を備えており、高速アクセス、書き込みモードにおける高い耐久性、低電力消費、不揮発性、優れた改ざん防止機能を特徴としています。 そのため、高セキュリティ、低電力消費が求められるスマートカードや、携帯電話その他のデバイスに理想的なメモリです。

    仕様

    特性Value
    メモリサイズ4kbit
    構成512 x 8ビット
    インターフェースタイプSPI
    実装タイプ表面実装
    パッケージタイプSOIC
    ピン数8
    寸法4.97 x 3.98 x 1.48mm
    動作供給電圧 Max3.6 V
    動作温度 Max+85 °C
    1ワード当たりのビット数8bit
    動作供給電圧 Min2.7 V
    動作温度 Min-40 °C
    ワード数512
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    5 - 20¥362.80¥1,814.00
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