強誘電体メモリは、FRAM、F-RAM、FeRAMとも呼ばれ、高速動作が可能な不揮発性メモリです。データ保持にバッテリバックアップが不要で、フラッシュメモリやEEPROMなどの不揮発性メモリと比べ、高速書込み、高書換え回数、低消費電力などの特長を持っています。
強誘電体メモリの種類
シリアルFRAMは、シリアルで電気的に消去可能なプログラマブル読取専用メモリ( EEPROM )に使用されています。
パラレルFRAMは、パラレルスタティックランダムアクセスメモリ( SRAM )で使用されています。
強誘電体メモリの用途
強誘電体メモリは、CMOS技術を使用して埋め込まれ、マイクロコントローラにFRAMを搭載できるようになっています。フラッシュメモリを組み込むよりも、コストが安価になります。
強誘電体メモリは、電気、水、ガス、熱などを測定する、さまざまな高度な電子計測システムに使われています。通常、強誘電体メモリは、少量のデータを格納するための電子機器に使用されています。