Infineon FRAMメモリ, 4Mbit, GQFN, シリアル-SPI, CY15V104QN-20LPXI

Advanced フェロエレクトリックプロセスを採用した、 4M ビットの低出力非揮発性 lemmory 。強誘電性ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）は不揮発性で、 RAM と同様に読み取りと書き込みを実行します。151 年間の信頼性の高いデータ保持を実現すると同時に、シリアルフラッシュ、 EEPROM 、およびその他の不揮発性メモリによって発生する複雑さ、オーバーヘッド、およびシステムレベルの信頼性の問題を排除します。書き込み遅延は発生しません。データは、各バイトがデバイスに正常に転送された直後にメモリアレイに書き込まれます。次のバスサイクルは、データポーリングを必要とせずに開始できます。また、他の不揮発性メモリと比較して、書き込み耐久性に優れています。1015 の読み取り / 書き込みサイクル、又は EEPROM より 1 、 000 万回の書き込みサイクルをサポート可能頻繁または Rapid の書き込みを必要とする不揮発性メモリアプリケーションに最適です。ハードウェアのドロップイン交換として、シリアル EEPROM 又はフラッシュを使用するユーザーに大きな利点があります。高速 SPI バスを使用して、 F-RAM 技術の高速書き込み機能を強化しています。