Cypress Semiconductor FRAMメモリ, 16kbit, SOIC, シリアル-2ワイヤー
- RS品番:
- 733-2256
- メーカー型番:
- FM24C16B-G
- メーカー/ブランド名:
- Cypress Semiconductor
取扱終了
在庫限りでお取扱いは終了致します。
- RS品番:
- 733-2256
- メーカー型番:
- FM24C16B-G
- メーカー/ブランド名:
- Cypress Semiconductor
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Cypress Semiconductor | |
| メモリサイズ | 16kbit | |
| 構成 | 2048 x 8ビット | |
| インターフェースタイプ | シリアル-2ワイヤー | |
| データバス幅 | 8bit | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| ピン数 | 8 | |
| 寸法 | 4.9 x 3.9 x 1.5mm | |
| 長さ | 4.9mm | |
| 動作供給電圧 Max | 5.5 V | |
| 幅 | 3.9mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| ワード数 | 2048 | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| 動作供給電圧 Min | 4.5 V | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Cypress Semiconductor | ||
メモリサイズ 16kbit | ||
構成 2048 x 8ビット | ||
インターフェースタイプ シリアル-2ワイヤー | ||
データバス幅 8bit | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
ピン数 8 | ||
寸法 4.9 x 3.9 x 1.5mm | ||
長さ 4.9mm | ||
動作供給電圧 Max 5.5 V | ||
幅 3.9mm | ||
高さ 1.5mm | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
ワード数 2048 | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
動作供給電圧 Min 4.5 V | ||
- COO（原産国）:
- TH
FRAM、サイプレス半導体
強誘電体RAM（ F-RAM ）はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。
不揮発性強誘電体RAMメモリ
高速書き込み
高耐久性
低消費電力
高速書き込み
高耐久性
低消費電力
16 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）は、論理的に 2 K x 8 として構成されています
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
高速 2 線シリアルインターフェース（ I2C ）
周波数：最大 1 MHz
シリアル（ I2C ） EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
従来の 100 kHz と 400 kHz のタイミングをサポートします
低消費電力
アクティブ電流： 100 μ A @ 100 kHz
スタンバイ電流： 4 μ A （標準
電圧動作： VDD = 4.5 → 5.5 V
産業用温度： -40 → +85 ° C
8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
高速 2 線シリアルインターフェース（ I2C ）
周波数：最大 1 MHz
シリアル（ I2C ） EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
従来の 100 kHz と 400 kHz のタイミングをサポートします
低消費電力
アクティブ電流： 100 μ A @ 100 kHz
スタンバイ電流： 4 μ A （標準
電圧動作： VDD = 4.5 → 5.5 V
産業用温度： -40 → +85 ° C
8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ
FRAM (強誘電体RAM)
FRAM (強誘電体ランダムアクセスメモリ)は、データを格納するためのコンデンサとして強誘電体フィルムを使用する不揮発性メモリです。 F-RAMは、ROMデバイスとRAMデバイスの両方の特性を備えており、高速アクセス、書き込みモードにおける高い耐久性、低電力消費、不揮発性、優れた改ざん防止機能を特徴としています。 そのため、高セキュリティ、低電力消費が求められるスマートカードや、携帯電話その他のデバイスに理想的なメモリです。