STMicroelectronics ゲートドライバモジュール, 2ドライバ, 2出力, 650 mA, 70 ns / 40 ns, 17 V ～ 17V, 8ピン SO-8

STMicroelectronicsの高電圧ゲートドライバは、BCD「オフライン」技術で製造されており、パワーMOSFET / IGBTデバイスのハーフブリッジを駆動できます。ハイサイド(フローティング)セクションは、最大600 Vの電圧レールで動作できます。両方のデバイス出力は、それぞれ650 mAと400 mAのシンク及びソースを実現し、インターロック機能を内蔵しているため、同時に高く駆動できません。デッドタイム機能により、出力のクロス伝導によるさらなる防止が保証されています。

内部ブートストラップダイオード