ローム GaN FET, 1ドライバ, 1出力, 11 A, 5.3 ns / 8.3 ns 650V, 8ピン

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梱包形態
RS品番:
264-698
メーカー型番:
GNP1150TCA-ZE2
メーカー/ブランド名:
ローム
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ブランド

ローム

プロダクトタイプ

GaN FET

出力電流

11A

ピン数

8

降下時間

8.3ns

出力数

1

上昇時間

5.3ns

ドライバ数

1

最大電源電圧

650V

動作温度 Max

150°C

長さ

8mm

8mm

シリーズ

GNP1150TCA-Z NA

高さ

0.9mm

規格 / 承認

RoHS

取付タイプ

表面

自動車規格

なし

COO(原産国):
TW
ロームのEモード窒化ガリウム(GaN)FETは、業界最高クラスのFOM(Ron Ciss Ron Coss)を達成した650V耐圧のGaN HEMTです。低オン抵抗と高速スイッチングを生かし、電力変換効率と小型化に貢献するEcoGaNシリーズの製品です。ESD保護機能を内蔵し、高信頼性設計を実現。また、汎用性の高いパッケージは放熱性に優れ、実装が容易である。

650V EモードGaN FET

70mΩ 抵抗

5.2nC ゲート電荷

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