onsemi ゲートドライバモジュール NCV51152BADR2G 絶縁ゲートドライバ 9 A 1 SOIC-8 2 8-Pin 20 V 表面
- RS品番:
- 277-026
- メーカー型番:
- NCV51152BADR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 277-026
- メーカー型番:
- NCV51152BADR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | ゲートドライバモジュール | |
| 出力電流 | 9A | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージ型式 | SOIC-8 | |
| 降下時間 | 8.3ns | |
| 出力数 | 2 | |
| ドライバタイプ | 絶縁ゲートドライバ | |
| 上昇時間 | 22ns | |
| 最小電源電圧 | 3V | |
| 最大電源電圧 | 20V | |
| ドライバ数 | 1 | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 4 mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.75mm | |
| シリーズ | NCV51152 | |
| 規格 / 承認 | SGS FIMO IEC 62386-1 (Planned), AEC-Q100-011, UL1577 (Planned), CQC (Planned) | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ ゲートドライバモジュール | ||
出力電流 9A | ||
ピン数 8 | ||
パッケージ型式 SOIC-8 | ||
降下時間 8.3ns | ||
出力数 2 | ||
ドライバタイプ 絶縁ゲートドライバ | ||
上昇時間 22ns | ||
最小電源電圧 3V | ||
最大電源電圧 20V | ||
ドライバ数 1 | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 4 mm | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.75mm | ||
シリーズ NCV51152 | ||
規格 / 承認 SGS FIMO IEC 62386-1 (Planned), AEC-Q100-011, UL1577 (Planned), CQC (Planned) | ||
取付タイプ 表面 | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
- COO(原産国):
- PH
オン・セミコンダクターの絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバは、パワーMOSFETおよびSiC MOSFETパワー・スイッチの高速スイッチング用に設計されています。伝搬遅延が短く整合されており、コンパクトな4mm SOIC-8パッケージで、最大3.75kVRMSの絶縁電圧をサポートします。さらに、ドライバーの両側に独立した低電圧ロックアウトなど、必要不可欠な保護機能も備えている。
伝搬遅延標準36 ns、最大遅延マッチング5 ns
AEC Q100準拠の自動車用アプリケーション
入力ピンのマイナス5V処理能力
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