型番

Infineon MOSFET AUIR2085STR MOSFET 1 A 2 SOIC 2 8-Pin 15 V 表面

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InfineonのゲートドライバICのポートフォリオを採用することで、あらゆるFET及びIGBTドライブ段において、デザインが簡素化され、最適な性能が実現されます。

シンプルな一次側制御ソリューションにより、部品点数と基板面積が削減された48 V配電システム用ハーフブリッジDCバスコンバータが実現します。

50 %デューティサイクルの発振器とハーフブリッジドライバICを単一SO-8パッケージに収容

スイッチング周波数をプログラム可能、チャンネル当たり最高500 kHz

+/-1 Aの電流供給能力で、低容量MOSFETに最適

調整可能なデッドタイム: 50 → 200 ns

ブートストラップ操作向けのフローティングチャンネル、最大+100 V dc

ハイサイド及びローサイドパルス幅が+/-25 nsで整合

調整可能な過電流保護

電圧不足ロックアウト、内蔵ソフトスタート

鉛フリー

用途

車載48 V DC-DC

車載12 V DC-DC

排気

ピエゾインジェクション

ソレノイドインジェクション

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