Microchip デュアルMOSFETドライバー MOSFET 3 A 2 SOIC 2 8-Pin 18 V 表面
- RS品番:
- 176-5490
- メーカー型番:
- MCP14A0305T-E/SN
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3300 - 3300 | ¥139.392 | ¥459,994 |
| 6600 - 29700 | ¥136.606 | ¥450,800 |
| 33000 - 46200 | ¥133.877 | ¥441,794 |
| 49500 - 62700 | ¥131.197 | ¥432,950 |
| 66000 + | ¥128.575 | ¥424,298 |
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- RS品番:
- 176-5490
- メーカー型番:
- MCP14A0305T-E/SN
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| プロダクトタイプ | デュアルMOSFETドライバー | |
| 出力電流 | 3A | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 降下時間 | 19ns | |
| 出力数 | 2 | |
| ドライバタイプ | MOSFET | |
| 上昇時間 | 19ns | |
| 最小電源電圧 | 4.5V | |
| ドライバ数 | 2 | |
| 最大電源電圧 | 18V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| シリーズ | MCP14A0305 | |
| 長さ | 4.9mm | |
| 規格 / 承認 | 200 V (MM), ESD Protection: 2 kV (HBM) | |
| 高さ | 1.25mm | |
| 幅 | 3.9 mm | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
プロダクトタイプ デュアルMOSFETドライバー | ||
出力電流 3A | ||
ピン数 8 | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
降下時間 19ns | ||
出力数 2 | ||
ドライバタイプ MOSFET | ||
上昇時間 19ns | ||
最小電源電圧 4.5V | ||
ドライバ数 2 | ||
最大電源電圧 18V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 125°C | ||
シリーズ MCP14A0305 | ||
長さ 4.9mm | ||
規格 / 承認 200 V (MM), ESD Protection: 2 kV (HBM) | ||
高さ 1.25mm | ||
幅 3.9 mm | ||
取付タイプ 表面 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- TH
MCP14A0303/4/5デバイスは、シングル4.5 ~ 18 V電源で動作しながら、最大3.0 Aのピーク電流を供給できるデュアル出力高速MOSFETドライバです。使用可能な出力構成は、反転(MCP14A0303)、非反転(MCP14A0304)、及び相補(1つの反転と1つの非反転による出力 - MCP14A0305)の3種類です。これらのデバイスは、低いシュートスルー電流、高速な立ち上り / 立ち下り時間、及び短い伝搬遅延を特長とし、これらの特長により、高スイッチング周波数用途に最適になっています。
高ピークの出力電流: 3.0 A
広い入力供給電圧(動作範囲): 4.5 → 18 V
出力段での低シュートスルー / クロスコンダクション電流
大容量負荷駆動能力: 12 ns以下で1800 pF
短い遅延時間: 17 ns (tD1)、21 ns (tD2)
低供給電流: 620 μA
低電圧しきい値入力及びイネーブル(ヒステリシスあり)
ラッチアップ保護: 500 mAの逆電流に対する耐性
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