DiodesZetex MOSFET DGD0506AFN-7 MOSFET 2 A 2 WDFN 2 10-Pin 60 V 表面
- RS品番:
- 182-7280
- メーカー型番:
- DGD0506AFN-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋10個入り) 小計:*
¥621.00
(税抜)
¥683.10
(税込)
¥3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2026年12月21日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 140 | ¥62.10 | ¥621 |
| 150 - 1390 | ¥59.20 | ¥592 |
| 1400 - 1890 | ¥56.30 | ¥563 |
| 1900 - 2390 | ¥53.50 | ¥535 |
| 2400 + | ¥50.60 | ¥506 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 182-7280
- メーカー型番:
- DGD0506AFN-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 出力電流 | 2A | |
| ピン数 | 10 | |
| 降下時間 | 25ns | |
| パッケージ型式 | WDFN | |
| 出力数 | 2 | |
| ドライバタイプ | MOSFET | |
| 上昇時間 | 35ns | |
| 最小電源電圧 | 5V | |
| 最大電源電圧 | 60V | |
| ドライバ数 | 2 | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| 高さ | 0.75mm | |
| 長さ | 3.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.1 mm | |
| シリーズ | DGD0506A | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
出力電流 2A | ||
ピン数 10 | ||
降下時間 25ns | ||
パッケージ型式 WDFN | ||
出力数 2 | ||
ドライバタイプ MOSFET | ||
上昇時間 35ns | ||
最小電源電圧 5V | ||
最大電源電圧 60V | ||
ドライバ数 2 | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 125°C | ||
高さ 0.75mm | ||
長さ 3.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.1 mm | ||
シリーズ DGD0506A | ||
取付タイプ 表面 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
DGD0506A は、ハーフブリッジ構成で N チャンネル MOSFET を駆動できる高周波ハーフブリッジゲートドライバです。フローティングハイサイドドライバの定格は 50 V です。DGD0506A ロジック入力は、標準 TTL 及び CMOS レベル(最小 3.3 V )に対応し、 MCU と簡単にインターフェイスします。ハイサイド及びローサイドの UVLO は、電源損失で MOSFET を保護します。MOSFET を保護するために、クロスコンダクション防止ロジックにより、 HO 出力と LO 出力が同時にオンになるのを防止します。伝播遅延の高速化と整合性の取れた遅延により、スイッチング周波数が高くなり、関連付けられている小さなコンポーネントを使用した、より小型でコンパクトな電源スイッチング設計が可能になります。DGD0506A は、 W-DFN3030-10 (タイプ TH )パッケージで提供され、 -40 → +125 ° C の拡張温度範囲で動作します。
50 V フローティングハイサイドドライバ
ハーフブリッジ構成で 2 つの N チャネル MOSFET を駆動します
出力電流容量: 1.5 A (ソース) / 2.0 A (シンク
ブートストラップダイオードを内蔵
ハイサイド / ローサイドドライバ用の低電圧ロックアウト
MOSFET を保護するプログラム可能なデッドタイム
ロジック入力( IN 及び EN ) 3.3 V 性能
超低スタンバイ電流<( 1 μ A )
幅広い使用温度範囲: -40 → +125 °C
用途
DC-DCコンバータ
モータ制御
バッテリ駆動手動工具
eCig デバイス
クラス D パワーアンプです
関連ページ
- DiodesZetex MOSFET DGD0507AFN-7 MOSFET 2 A 2 WDFN 2 10-Pin 表面
- DiodesZetex MOSFET MOSFET 2 A 2 WDFN 2 10-Pin 60 V 表面
- DiodesZetex MOSFET MOSFET 2 A 2 WDFN 2 10-Pin 表面
- DiodesZetex MOSFET DGD0506AM10-13 MOSFET 2 A 2 MSOP 2 10-Pin 表面
- DiodesZetex MOSFET DGD05473FN-7 MOSFET 2.5 A 2 WDFN 2 10-Pin 6 V 表面
- DiodesZetex MOSFET DGD05463FN-7 MOSFET 2.5 A 2 WDFN 2 10-Pin 6 V 表面
- DiodesZetex MOSFET MOSFET 2.5 A 2 WDFN 2 10-Pin 6 V 表面
- DiodesZetex MOSFET MOSFET 2 A 2 MSOP 2 10-Pin 表面
