onsemi MOSFETゲートドライバ 6.8 A 、 7.8 A SOIC 1 8-Pin ゲートドライバ 表面実装
- RS品番:
- 185-8105
- メーカー型番:
- NCV5703BDR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 185-8105
- メーカー型番:
- NCV5703BDR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 出力電流 | 6.8 A 、 7.8 A | |
| 供給電圧 | 5V | |
| ピン数 | 8 | |
| 降下時間 | 7.9ns | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| ドライバタイプ | MOSFET | |
| 出力数 | 1 | |
| 上昇時間 | 9.2ns | |
| トポロジー | ゲートドライバ | |
| 時間遅延 | 75ns | |
| ドライバ数 | 1 | |
| ブリッジタイプ | ハーフブリッジ | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
出力電流 6.8 A 、 7.8 A | ||
供給電圧 5V | ||
ピン数 8 | ||
降下時間 7.9ns | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
ドライバタイプ MOSFET | ||
出力数 1 | ||
上昇時間 9.2ns | ||
トポロジー ゲートドライバ | ||
時間遅延 75ns | ||
ドライバ数 1 | ||
ブリッジタイプ ハーフブリッジ | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
- COO(原産国):
- PH
IGBTミラープラトー電圧で高電流出力(+4.0 / -6.0 A)
低VOH / VOL
アクティブ Miller クランプ (NCD5701A のみ )
設定可能な遅延に基づくDESAT保護
スイッチング損失の低減と短いスイッチング時間
IGBTの全面的な機能拡張
スプリアスゲートターンオンを防止
設定可能な保護機能を強化
用途
DC-ACインバータ
バッテリ充電器
PFC
モータドライバ
ドライバ
最終製品
ソーラーインバータ
無停電電源装置( UPS )
モータ制御
誘導クッカー
インバータ溶接機
低VOH / VOL
アクティブ Miller クランプ (NCD5701A のみ )
設定可能な遅延に基づくDESAT保護
スイッチング損失の低減と短いスイッチング時間
IGBTの全面的な機能拡張
スプリアスゲートターンオンを防止
設定可能な保護機能を強化
用途
DC-ACインバータ
バッテリ充電器
PFC
モータドライバ
ドライバ
最終製品
ソーラーインバータ
無停電電源装置( UPS )
モータ制御
誘導クッカー
インバータ溶接機
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