仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

高電圧範囲：最大 600 V

dV/dt 耐性： ± 50 V/nsec

ゲートドライブ供給電圧範囲： 10 → 20 V

高 / 低駆動出力

出力ソース / シンク電流容量： 250 mA / 500 mA

3.3 V 及び 5 V 入力ロジックに対応

入力ピンでの VCC スイングまで

両方のチャネル間で伝播遅延が一致しました

入力があるフェーズで出力されます

すべてのトポロジに対応するための独立したロジック入力（バージョン A ）

100 ns の内部固定デッドタイム（バージョン B ）でのクロスコンダクション保護

両チャンネルの VCC ロックアウト（ UVLO

業界標準にピン対ピンで対応

用途

ハーフブリッジ電源コンバータ

相補ドライブコンバータ（非対称ハーフブリッジ、アクティブクランプ）（ A モデルのみ）。

フルブリッジコンバータ

onsemi MOSFET MOSFET 500 mA 2 SOIC 2 8-Pin 20 V 表面

関連ページ