- RS品番:
- 186-9114
- メーカー型番:
- NCP5106BDR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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単価: 購入単位は2500 個
¥91.633
(税抜)
¥100.796
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
2500 - 2500 | ¥91.633 | ¥229,082.50 |
5000 - 22500 | ¥88.897 | ¥222,242.50 |
25000 - 35000 | ¥84.156 | ¥210,390.00 |
37500 - 47500 | ¥81.786 | ¥204,465.00 |
50000 + | ¥79.415 | ¥198,537.50 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 186-9114
- メーカー型番:
- NCP5106BDR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
データシート
その他
詳細情報
ON Semiconductor MOSFET & IGBT ドライバ
ローサイド / ハイサイド / ハーフブリッジ回路用MOSFET & IGBT 電源ドライバ
高電圧範囲:最大 600 V
dV/dt 耐性: ± 50 V/nsec
ゲートドライブ供給電圧範囲: 10 → 20 V
高 / 低駆動出力
出力ソース / シンク電流容量: 250 mA / 500 mA
3.3 V 及び 5 V 入力ロジックに対応
入力ピンでの VCC スイングまで
両方のチャネル間で伝播遅延が一致しました
入力があるフェーズで出力されます
すべてのトポロジに対応するための独立したロジック入力(バージョン A )
100 ns の内部固定デッドタイム(バージョン B )でのクロスコンダクション保護
両チャンネルの VCC ロックアウト( UVLO
業界標準にピン対ピンで対応
用途
ハーフブリッジ電源コンバータ
相補ドライブコンバータ(非対称ハーフブリッジ、アクティブクランプ)( A モデルのみ)。
フルブリッジコンバータ
dV/dt 耐性: ± 50 V/nsec
ゲートドライブ供給電圧範囲: 10 → 20 V
高 / 低駆動出力
出力ソース / シンク電流容量: 250 mA / 500 mA
3.3 V 及び 5 V 入力ロジックに対応
入力ピンでの VCC スイングまで
両方のチャネル間で伝播遅延が一致しました
入力があるフェーズで出力されます
すべてのトポロジに対応するための独立したロジック入力(バージョン A )
100 ns の内部固定デッドタイム(バージョン B )でのクロスコンダクション保護
両チャンネルの VCC ロックアウト( UVLO
業界標準にピン対ピンで対応
用途
ハーフブリッジ電源コンバータ
相補ドライブコンバータ(非対称ハーフブリッジ、アクティブクランプ)( A モデルのみ)。
フルブリッジコンバータ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFET / IGBTドライバ、ON Semiconductor
仕様
特性 | |
---|---|
出力電流 | 500 mA |
供給電圧 | 20V |
ピン数 | 8 |
パッケージタイプ | SOIC |
降下時間 | 75ns |
出力数 | 2 |
上昇時間 | 160ns |
高/低サイド依存性 | 独立 |
ドライバ数 | 2 |
時間遅延 | 170ns |
実装タイプ | 表面実装 |
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