- RS品番:
- 190-4948
- メーカー型番:
- VNS1NV04PTR-E
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
在庫切れ
単価: 購入単位は2500 個
¥120.578
(税抜)
¥132.636
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
2500 - 2500 | ¥120.578 | ¥301,445.00 |
5000 - 22500 | ¥117.648 | ¥294,120.00 |
25000 - 35000 | ¥114.717 | ¥286,792.50 |
37500 - 47500 | ¥111.786 | ¥279,465.00 |
50000 + | ¥108.856 | ¥272,140.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 190-4948
- メーカー型番:
- VNS1NV04PTR-E
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
詳細情報
VNN1NV04P-E 、 VNS1NV04P-E は、 STMicroelectronics VIPower M0-3 テクノロジーで設計されたモノリシックデバイスで、 DC → 50 kHz 用途の標準パワー MOSFET の代替品として使用されています。サーマルシャットダウン、リニア電流制限、過電圧クランプを内蔵して、過酷な環境でチップを保護します。入力ピンで電圧を監視することで、障害フィードバックを検出できます。
ESD防止
入力ピンからの診断フィードバック
標準パワー MOSFET と互換性があります
リニア電流制限
短絡保護
サーマルシャットダウン
入力ピンから引き込まれる低電流
パワー MOSFET のゲートに直接アクセス(アナログ駆動)
クランプ内蔵
入力ピンからの診断フィードバック
標準パワー MOSFET と互換性があります
リニア電流制限
短絡保護
サーマルシャットダウン
入力ピンから引き込まれる低電流
パワー MOSFET のゲートに直接アクセス(アナログ駆動)
クランプ内蔵
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
ロジックタイプ | TTL |
出力電流 | -3 A |
ピン数 | 8 |
降下時間 | 4µs |
パッケージタイプ | SO |
出力数 | 1 |
上昇時間 | 4µs |
トポロジー | ローサイド |
ドライバ数 | 1 |
実装タイプ | 表面実装 |
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