Skyworks Solutions Inc MOSFETゲートドライバ 1.8 A 、 4 A QFN 1 14-Pin 絶縁ゲートドライバ 反転 表面実装

Si8275GB-IM1 デバイスでは、 VIA 、 VIB 入力、及びデュアルドライバドライバのオプションが用意されています。Si8275GB-IM1 は、高性能のノイズ耐性を備えているため、スイッチング速度 Faster によるリスクを排除しています。Faster Switching で発生する高ノイズ過渡は、ドライバによる信号品質に影響を与えず、変調損失のリスクを排除します。400 kV/ μ s という非常に高いラッチアップ仕様により、 Si8275GB-IM1 デバイスは極めて堅牢で、恒久的なラッチアップ損傷を防止し、 UVLO 障害保護、ノイズの多い入力をフィルタリングするグリッチ除去回路、高精度のデッドタイム（ DT ピン）プログラマビリティを備えています。この機能を使用すると、 2 つのドライバの切り替え間の「デッドタイム」を正確に制御して、システム効率と安全性を最適化できます。このドライバは、 2.5 → 5.5 V の広い入力 VDD 及び最大ドライブ供給電圧 30 V で動作します

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