Renesas Electronics MOSFET HIP2101IBZ MOSFET 2 A 2 SOIC 2 8-Pin 14 V 表面

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梱包形態
RS品番:
196-8876
メーカー型番:
HIP2101IBZ
メーカー/ブランド名:
ルネサス エレクトロニクス
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ブランド

ルネサス エレクトロニクス

プロダクトタイプ

MOSFET

出力電流

2A

ピン数

8

降下時間

500ns

パッケージ型式

SOIC

ドライバタイプ

MOSFET

出力数

2

上昇時間

500ns

最小電源電圧

18V

最大電源電圧

14V

ドライバ数

2

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

1.75mm

規格 / 承認

No

長さ

5mm

シリーズ

HIP2101

幅

4 mm

取付タイプ

表面

自動車規格

なし

Renesas Electronics の HIP2101 シリーズデバイスは、高周波 100 V ハーフブリッジ N チャンネルパワー MOSFET ドライバ IC です。これは、と同じです

HIP2100 には、完全な TTL / CMOS 互換ロジック入力ピンの利点が追加されています。両方のに低電圧保護

ローサイド及びハイサイド電源では、出力がローサイドになります。オンチップダイオードにより、他のドライバ IC に必要なディスクリートダイオードは不要です。

N チャンネル MOSFET ハーフブリッジを駆動

SOIC 、 EPSOIC 、 QFN 、 DFN パッケージオプション

ブートストラップ供給最大電圧： 114 V dc

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