Renesas Electronics ゲートドライバモジュール HIP2101EIBZ MOSFET 3 A SOIC 8-Pin 100 V

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梱包形態
RS品番:
264-0589
メーカー型番:
HIP2101EIBZ
メーカー/ブランド名:
ルネサス エレクトロニクス
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ブランド

ルネサス エレクトロニクス

プロダクトタイプ

ゲートドライバモジュール

出力電流

3A

ピン数

8

降下時間

10ns

パッケージ型式

SOIC

ドライバタイプ

MOSFET

上昇時間

10ns

最小電源電圧

100V

最大電源電圧

100V

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

125°C

規格 / 承認

RoHS

高さ

1.7mm

シリーズ

HIP2101

幅

3.98 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
PH
ルネサス エレクトロニクスのゲートドライバは、動作電源とハイサイドブートストラップバイアスを内蔵した3レベルPWM入力の高周波ハーフブリッジNMOS FETドライバで、ハーフブリッジアプリケーションでのハイサイドとローサイドNMOSの駆動をサポートします。

プログラム可能なデッドタイムによりシュートスルーを防止

双方向コンバータ

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