onsemi 汎用ドライバ 1.9 A SOIC-8 8-Pin

ON Semiconductor 高電圧ゲートドライバには、非絶縁ローサイドゲートドライバ 1 つとガルバニック絶縁ハイ / ローサイドゲートドライバ 1 つが用意されています。ハーフブリッジ構成で 2 つの IGBT を直接駆動することができます。絶縁されたハイサイドドライバには、絶縁電源又はローサイド電源のブートストラップ技術で電力を供給できます。ハイサイドゲートドライバ向けのこのガルバニック絶縁により、最大 800 V @ 高 dv/dt で動作する IGBT の高電力用途で信頼性の高いスイッチングが保証されます。

パッケージは SOIC-8 （鉛フリー）
高 Peak 電流出力（ +1.9 A/-2.3 A ）
低い出力電圧降下で IGBT 導通を向上
VDD / VB なしのセキュア出力低状態
最大 +800 V のブートストラップ操作向けのフローティングチャンネル
CMTI ：最大 50 kV/s
-800V までの VS 負のスイングに対する信頼性の高い動作
VDD / VBS の供給範囲：最大 20 V

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