- RS品番:
- 205-2421
- メーカー型番:
- NCV57200DR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
在庫切れ
単価: 購入単位は5個
¥308.40
(税抜)
¥339.24
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
5 - 120 | ¥308.40 | ¥1,542.00 |
125 - 1195 | ¥299.40 | ¥1,497.00 |
1200 - 1595 | ¥227.60 | ¥1,138.00 |
1600 - 1995 | ¥191.60 | ¥958.00 |
2000 + | ¥155.40 | ¥777.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 205-2421
- メーカー型番:
- NCV57200DR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
データシート
その他
詳細情報
ON Semiconductor 高電圧ゲートドライバには、非絶縁ローサイドゲートドライバ 1 つとガルバニック絶縁ハイ / ローサイドゲートドライバ 1 つが用意されています。ハーフブリッジ構成で 2 つの IGBT を直接駆動することができます。絶縁されたハイサイドドライバには、絶縁電源又はローサイド電源のブートストラップ技術で電力を供給できます。ハイサイドゲートドライバ向けのこのガルバニック絶縁により、最大 800 V @ 高 dv/dt で動作する IGBT の高電力用途で信頼性の高いスイッチングが保証されます。
パッケージは SOIC-8 (鉛フリー)
高 Peak 電流出力( +1.9 A/-2.3 A )
低い出力電圧降下で IGBT 導通を向上
VDD / VB なしのセキュア出力低状態
最大 +800 V のブートストラップ操作向けのフローティングチャンネル
CMTI :最大 50 kV/s
-800V までの VS 負のスイングに対する信頼性の高い動作
VDD / VBS の供給範囲:最大 20 V
高 Peak 電流出力( +1.9 A/-2.3 A )
低い出力電圧降下で IGBT 導通を向上
VDD / VB なしのセキュア出力低状態
最大 +800 V のブートストラップ操作向けのフローティングチャンネル
CMTI :最大 50 kV/s
-800V までの VS 負のスイングに対する信頼性の高い動作
VDD / VBS の供給範囲:最大 20 V
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
出力電流 | 1.9 A |
供給電圧 | 20V |
ピン数 | 8 |
パッケージタイプ | SOIC-8 |
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