Microchip ゲートドライバゲートアイゲートヒンジ MOSFET 1.5 A 2 SOIC 2 8-Pin 18 V 表面

Microchip MIC4426YM-TR 信頼性の高いデュアルローサイド MOSFET ドライバは、 BiCMOS/DMOS プロセスで製造され、低消費電力と高効率を実現しています。これらのドライバは、TTL又はCMOS入力ロジックレベルを、正の電源又は接地から25 mV以内でスイングする出力電圧レベルに変換します。同等のバイポーラデバイスのスイングは、電源の1 V以内にしかなりません。ラッチングなしで最大 500 mA の逆電流（極性を問いません）、アースピンで最大 5 V のノイズスパイク（極性を問いません）に耐えることができます。主にパワー MOSFET の駆動を想定しており、 MIC4426YM-TR ドライバは、低インピーダンス、高 Peak 電流、高速スイッチング時間を必要とする他の負荷（静電容量、抵抗、誘導）の駆動に適しています。その他の用途には、負荷の高いクロックライン、同軸ケーブル、ピエゾ圧電トランスデューサの駆動などがあります。唯一の負荷制限はその合計です

Microchip MIC4426YM-TR 信頼性の高いデュアルローサイド MOSFET ドライバは、 BiCMOS/DMOS プロセスで製造され、低消費電力と高効率を実現しています。これらのドライバは、TTL又はCMOS入力ロジックレベルを、正の電源又は接地から25 mV以内でスイングする出力電圧レベルに変換します。同等のバイポーラデバイスのスイングは、電源の1 V以内にしかなりません。ラッチングなしで最大 500 mA の逆電流（極性を問いません）、アースピンで最大 5 V のノイズスパイク（極性を問いません）に耐えることができます。主にパワー MOSFET の駆動を想定しており、 MIC4426YM-TR ドライバは、低インピーダンス、高 Peak 電流、高速スイッチング時間を必要とする他の負荷（静電容量、抵抗、誘導）の駆動に適しています。その他の用途には、負荷の高いクロックライン、同軸ケーブル、ピエゾ圧電トランスデューサの駆動などがあります。唯一の負荷制限はその合計です

バイポーラ / CMOS / DMOS構造

バイポーラ / CMOS / DMOS構造

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