STMicroelectronics ゲートドライバゲートアイゲートヒンジ MOSFET 600 mA 3 SOIC 3 28-Pin 78 V 表面

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RS品番:
210-8288
メーカー型番:
STDRIVE101
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

ゲートドライバゲートアイゲートヒンジ

出力電流

600mA

ピン数

28

パッケージ型式

SOIC

降下時間

120ns

出力数

3

ドライバタイプ

MOSFET

上昇時間

120ns

最小電源電圧

-0.3V

最大電源電圧

78V

ドライバ数

3

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

125°C

幅

4.15 mm

長さ

4.15mm

規格 / 承認

No

高さ

1mm

取付タイプ

表面

自動車規格

なし

STDRIVE101は、3相ブラシレスモータの駆動に適した低電圧ゲートドライバです。

NチャンネルパワーMOSFET用の3つのハーフブリッジゲートドライバを備えたシングルチップです。各ドライバの電流容量は600 mA (シンク / ソース)です。低ドロップリニアレギュレータを内蔵し、ブートストラップ回路を介してローサイド及びハイサイドゲートドライバの両方の供給電圧を生成します。

このデバイスは、ローサイドとハイサイドの両方に低電圧ロックアウト(UVLO)を実現し、低効率又は危険な条件での電源スイッチの動作を防止します。

STDRIVE101に統合された制御ロジックにより、2つの入力戦略(ハイサイド及びローサイド又はイネーブル及びPWM駆動信号)が可能になります。駆動方法は、DT / MODEピンに応じて選択されます。どちらのケースでも、インターロック又は内部で生成されたデッドタイムにより、クロス伝導の防止が保証されます。

STDRIVE101は、各外部MOSFETに対するVDS監視保護機能、サーマルシャットダウン機能を備え、スタンバイモードに設定して消費電力を削減できます。

このデバイスは、VFQFPN 4 x 4 24リードパッケージオプションを用意しています。

• 動作電圧: 5.5 → 75 V

• シンク / ソース電流容量: 600 mA

• 3.3 V及び5 V制御ロジック

• 2つの入力戦略:

oENx/INx、調整可能なデッドタイム生成

oINHx/INLx、インターロック付き

• 全チャンネルの伝搬遅延を整合

• 非常に短い伝播遅延: 40 ns

• 一体型ブートストラップダイオード

• 12 V LDOリニアレギュレータ(最大50 mA)

• 各外部MOSFET用の組み込みVDSモニタ

• 過電流コンパレータ

•

過熱保護• スタンバイモードで低消費電流動作

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